• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
III Всероссийская научно-техническая конференция им. В.А. Солнцева

Проблемы СВЧ электроники - 2017

 


8-9 ноября 2017 г., Москва, ул. Таллинская, д.34

Рабочие языки конференции: русский, английский


III Всероссийская научно-техническая конференция им. В.А. Солнцева «Проблемы СВЧ электроники - 2017» проводится Московским институтом электроники и математики им. А.Н.Тихонова Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики» совместно с компанией KEYSIGHT Technologies при участии Издательского дома «Медиа-Паблишер».

Конференция посвящена фундаментальным и прикладным проблемам вакуумной и плазменной,  твердотельной и полупроводниковой электроники СВЧ, рассматривавшимся в разных аспектах на заседаниях Всероссийского научного семинара «Проблемы электроники по методам СВЧ электроники» и Всероссийского научного семинара «Электродинамика периодических и нерегулярных структур», начиная с 1973 года.

На конференции будут заслушаны приглашенные обзорные доклады, оригинальные сообщения о новых результатах исследований и разработок в виде устных и стендовых докладов, а также предполагается обсуждение актуальных вопросов теории и технических аспектов разработки и применения вакуумных и плазменных, твердотельных и полупроводниковых приборов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов.

Программа работы Всероссийской научно-технической конференции распределена по следующим направлениям:
  • вакуумные и плазменные электронные СВЧ генераторы и усилители
  • твердотельные и полупроводниковые  приборы СВЧ
  • специализированные электродинамические структуры (замедляющие системы, метаматериалы, трансформаторы мод)
  • пассивные СВЧ-устройства, антенны и фазированные антенные решетки
  • технологии и материалы СВЧ электроники
  • метрология и измерения на СВЧ
  • применение приборов и устройств СВЧ электроники

В рамках конференции планируются выступления ведущих специалистов в области СВЧ электроники, представляющих высшие учебные заведения, научно-исследовательские институты и предприятия, государственные и частные фирмы и компании.


Регламент проведения конференции

Доклады участников конференции, оформленные по форме IEEE (2 страницы) и высланные в адрес оргкомитета в сроки, указанные в разделе сайта Регистрация, после рецензирования будут включены в Программу конференции и войдут в сборник трудов, индексируемый в РИНЦ.

Всем участникам, выступившим с докладами, будут вручены сертификаты.

Сборник трудов конференции будет опубликован на сайтах МИЭМ НИУ ВШЭ и издательского дома «Медиа Паблишер» в разделе «Архив». Электронная версия сборника будет доступна для скачивания.

Лучшие доклады будут рекомендованы к публикации в виде статей в журналах из перечня ВАК: «Радиотехника и электроника», «T-Comm: Телекоммуникации и транспорт» и «Наукоемкие технологии в космических исследованиях Земли».


Участие в конференции бесплатное. 

Заочное участие в конференции не предусмотрено. К публикации допускаются только доклады, которые были представлены на конференции.

Срок представления материалов — до 15 сентября 2017 г.
По требованию может быть выслано официальное приглашение для участия в конференции.

Программный комитет конференции

Черепенин В.А. 
чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф., г.н.с. ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН, Москва, председатель
Петелин М.И.  
проф., ИПФ РАН, Нижний Новгород, сопредседатель
Елизаров А.А. д.т.н., проф., деп. ЭИ, МИЭМ НИУ ВШЭ, Москва,  сопредседатель
Аристархов Г.М. д.т.н., профессор, зав. кафедрой МТУСИ, Москва
Байков А.Ю. к.ф.-м.н., доцент, зав. кафедрой МФЮА, Москва
Банков С.Е. д.т.н., г.н.с., ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН, Москва
Галдецкий А.В. к.ф.-м.н., ФГУП «НПП «Исток»», Фрязино
Гинзбург Н.С. д.ф.-м.н., проф., ИПФ РАН, Нижний Новгород
Григорьев А.Д. д.т.н., профессор, РТЭ, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», С.-Петербург
Климов К.Н. д.т.н., профессор, НПО «ЛЭМЗ», Москва
Морев С.П. д.ф.-м.н., ФГУП «НПП «Торий»», Москва
Мухин С.В. д.т.н., профессор, МФЮА, Москва
Пчельников Ю.Н. д.т.н., профессор-консультант, NC, Cary, USA
Петров Д.М. д.т.н., профессор, руководитель секции «СВЧ электроника», РНТОРЭС им. А.С.Попова, Москва
Петров А.С. д.т.н., профессор, АО «НПО им. С.А. Лавочкина», Химки
Рыскин Н.М. д.ф.-м.н., проф., зав. каф. СГУ им.Н.Г.Чернышевского, Саратов
Совлуков А.С. д.т.н., проф., г.н.с. ИПУ им. В.А.Трапезникова РАН, Москва
Сигов А.С. академик РАН, д.ф.-м.н., проф., президент МТУ-МИРЭА, Москва
Трубецков Д.И. чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф., зав. каф. СГУ им.Н.Г.Чернышевского, Саратов
Царев В.А. д.т.н., профессор, зав. каф. СГТУ им. Ю.А.Гагарина, Саратов

Организационный комитет конференции

Елизаров А.А. 
д.т.н., профессор, департамент ЭИ, МИЭМ НИУ ВШЭ, Москва,  председатель оргкомитета
Кравченко Н.П. к.т.н., доцент, департамент ЭИ, МИЭМ НИУ ВШЭ, Москва,  зам. председателя оргкомитета
Назаров И.В. к.т.н., доцент, департамент ЭИ, МИЭМ НИУ ВШЭ, Москва, зам. председателя оргкомитета
Черепенин В.А. чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф., г.н.с. ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН, Москва
Каган М.Ю. чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф., науч. рук. департамента ЭИ, МИЭМ НИУ ВШЭ, Москва
Мозговой Ю.Д. д.т.н., профессор, департамент ЭИ, МИЭМ НИУ ВШЭ, Москва
Нефедов В.Н. д.т.н., профессор, департамент ЭИ, МИЭМ НИУ ВШЭ, Москва
Петелин М.И. проф., ИПФ РАН, Нижний Новгород
Ревякина И.А. руководитель направления по работе с вузами, Keysight Technologies
Хриткин С.А. к.т.н., доцент, департамент ЭИ, МИЭМ НИУ ВШЭ, Москва
Дорошкевич О.В. координатор по организационным вопросам, ИД «Медиа-Паблишер», Москва
Дымкова С.С. координатор программы публикаций конференции, ИД «Медиа-Паблишер», Москва

По всем вопросам обращаться к координаторам оргкомитета конференции:

+7(926) 218-82-43 — Дымкова Светлана Сергеевна

+7(916) 591-55-36 — Дорошкевич Ольга Владимировна


Требования к предоставлению материалов для публикации на русском языке

Предоставляемая для публикации статья должна быть актуальной, обладать новизной, отражать постановку задачи, содержать описание основных результатов исследования, выводы, а также соответствовать указанным ниже правилам оформления. Текст должен быть тщательно вычитан автором, который несет ответственность за научно-теоретический уровень публикуемого материала.

Статья подготавливается в редакторе MS Word. Формульные выражения выполняются только во встроенном формульном редакторе MS Word 2003 или в редакторе Math Type. Формулы нумеруются в круглых скобках, источники – в прямых. Нумерация формул и приведение в списке источников, на которые нет ссылок по тексту, не допускается.

Информационный блок статьи подается на русском и английском языках:

1) Объём статьи с аннотацией – до 10 тыс. знаков (рисунки и таблицы в объеме статьи не учитываются)

2) Объем аннотации 2500 символов, включая пробелы. Аннотация должна быть выполнена в виде краткого реферата без списка литературы, формул и рисунков. Аннотация должна быть информативной (не содержать общих слов), структурированной, отражать основное содержание статьи: предмет, цель, методологию проведения исследований, результаты исследований, область их применения, выводы. Приводятся основные теоретические и экспериментальные результаты, фактические данные, обнаруженные взаимосвязи и закономерности. Выводы могут сопровождаться рекомендациями, оценками, предложениями, гипотезами, описанными в статье.

3) Ключевые слова (не менее пяти).

4) Фамилия, имя, отчество всех авторов полностью, полное название организации – места работы каждого автора, почтовый адрес, должность, звание, ученая степень каждого автора, адрес электронной почты для каждого автора.

5) Список литературы не менее пяти наименований, для статей – с указанием страниц, для книг – с указанием общего числа страниц в книге, для интернет-сайта — с указанием даты обращения.

Статья предоставляется в электронном виде, единым файлом, имеющим следующую структуру: заглавие статьи, сведения об авторах, ключевые слова, аннотация, текст статьи (включая иллюстрации и таблицы), список литературы, англоязычный информационный блок.


Заявку на участие направлять на адрес оргомитета: ovd@media-publisher.ru.

В ответ будет выслана форма IEEE для подготовки статьи.